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从上下垂直方向考虑,上层玻璃液由于温度高,液流强烈、化学反应激烈,因而池壁电熔砖上部受侵蚀严重。尤其是液面线附近处于气、液、固三相交界处,又常有硝水及料粉的侵蚀,因而是受侵蚀最严重的部位之一。
从水平方向考虑,前中后三部分受侵蚀情况也不一样。以原料投入口和池中部最易于损坏。其次是后池壁。靠近流液洞的池壁电熔砖损坏较轻。但是,对于双室池炉,熔化池靠近流液洞有一段八字墙,此处池壁电熔砖也极易损坏。由以上两点来看,对于一般钠钙硅玻璃,在熔化池中部后部的最上层应使用抗侵蚀性较好的33#电熔锆刚玉砖。当使用电助熔和鼓泡时,电极插入砖和鼓泡管插入砖由于受侵蚀严重,而且电极砖要求绝缘性好,要用41#电熔锆刚玉砖。
此时池壁电熔砖下层不能使用电熔铸莫来石砖。这是由于使用电助熔和鼓泡技术后池壁电熔砖下部也会受到强烈侵蚀。但在不用电助熔和鼓泡技术熔化Fe2O3、CoO、C着色的玻璃时,池壁电熔砖下层可以用电熔铸莫来石砖。对于其他种类的玻璃,如含K2O、Li2O、MgO、BaO、PbO、A12O3、B2O3、F等玻璃,除个别情况外都可按上述方法选用池壁电熔砖。
这一个别情况是指高硅低碱或无碱玻璃。对于熔化这种玻璃的池炉,国内池壁电熔砖主要使用石英砖和白泡石砖配合。国外也有使用致密锆英石砖和36#电熔锆刚玉砖配套的。此时,致密锆英石砖比41#电熔锆刚玉砖抗蚀性好。
